QLC UFS 4.1嵌入式閃存器件
QLC UFS相比傳統(tǒng)TLC UFS具有更高的位密度，非常適合需要大存儲容量的移動應(yīng)用。得益于控制器技術(shù)和糾錯技術(shù)的進(jìn)步，讓QLC技術(shù)能夠在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的同時，保持有競爭力的性能。
在這些技術(shù)進(jìn)步的基礎(chǔ)上，Kioxia的新款器件實(shí)現(xiàn)了顯著的性能提升2。與上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH?6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS將順序?qū)懭胨俣忍嵘?5%，將隨機(jī)讀取速度提升了90%，并將隨機(jī)寫入速度提升了95%3。寫放大系數(shù)（WAF）也提升了最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情況下）。
Kioxia QLC UFS不僅非常適合智能手機(jī)和平板電腦，此外同樣支持需要更高容量和性能的新型產(chǎn)品，包括個人電腦（PC）、網(wǎng)絡(luò)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)/虛擬現(xiàn)實(shí)（AR/VR）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及啟用人工智能（AI）的設(shè)備。
新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB兩種容量，將Kioxia先進(jìn)的BiCS FLASH? 3D閃存與集成的控制器組合在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)封裝中。Kioxia的第8代BiCS FLASH? 3D閃存推出了CMOS直接鍵合陣列（CBA）技術(shù)，這一架構(gòu)創(chuàng)新標(biāo)志著閃存設(shè)計(jì)領(lǐng)域的一次飛躍式改變。
主要特點(diǎn)包括：
符合UFS 4.1規(guī)范。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。
第8代Kioxia BiCS FLASH? 3D閃存
支持WriteBooster，顯著提升寫入速度
封裝尺寸比上一代QLC UFS更?。簭?1×13 mm縮小至9×13 mm
相關(guān)鏈接：
Kioxia的UFS 4.1產(chǎn)品頁面
注：
(1)通用閃存（UFS）是根據(jù)JEDEC UFS標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范建造的一個嵌入式內(nèi)存產(chǎn)品類別。由于采用串行接口，UFS支持全雙工，即可以在主機(jī)處理器和UFS器件之間實(shí)現(xiàn)并發(fā)讀寫
(2)基于Kioxia的內(nèi)部測試
(3)512GB產(chǎn)品，啟用WriteBooster時
- 凡提及某個Kioxia產(chǎn)品之處：產(chǎn)品密度是指該產(chǎn)品內(nèi)部的內(nèi)存芯片密度，而非最終用戶可用于數(shù)據(jù)存儲的內(nèi)存容量大小。由于開銷數(shù)據(jù)區(qū)域、格式化、壞扇區(qū)和其他限制的原因，用戶可用容量將會低于該值。要了解詳情，請參閱相關(guān)產(chǎn)品規(guī)格。定義：1KB = 2^10字節(jié) = 1,024字節(jié)；1Gb = 2^30位 = 1,073,741,824位；1GB = 2^30字節(jié) = 1,073,741,824字節(jié)。1Tb = 2^40位 = 1,099,511,627,776位。
- 1 Gbps = 1,000,000,000位/秒。讀寫速度是Kioxia在特定測試環(huán)境中取得的最佳值，Kioxia不保證具體器件設(shè)備上的讀取或?qū)懭胨俣?。讀寫速度可能因所用設(shè)備以及讀取或?qū)懭氲奈募笮《悺?br />
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