Nexperia推出1200 V SiC肖特基二極管，擴展寬禁帶產(chǎn)品組合，賦能大功率基礎設施
2025-07-14
Nexperia今日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J和PSC20120L專為滿足工業(yè)應用中對超低功耗整流器的需求而設計，可在高能效能量轉換場景中發(fā)揮關鍵作用。這類器件尤其適用于高功率人工智能(AI)服務器基礎設施和電信設備電源及太陽能逆變器的應用。
新款肖特基二極管具備不受溫度影響的容性開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數(shù)(QC x VF)。此外，其開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。這些器件采用的合并PiN肖特基(MPS)結構帶來更多優(yōu)勢，例如憑借高峰值正向電流(IFSM)展現(xiàn)出卓越的浪涌電流耐受能力。這一特性減少了對額外保護電路的需求，顯著降低系統(tǒng)復雜度，使工程師能夠在高壓應用中以更小尺寸實現(xiàn)更高效率。
PSC20120J采用真雙引腳D2PAK R2P (TO-263-2)表面貼裝(SMD)功率塑料封裝，而PSC20120L則采用真雙引腳TO247 R2P (TO-247-2)通孔功率塑料封裝。這些熱穩(wěn)定封裝可在高達175℃的工作溫度下提升器件在高壓應用中的可靠性。作為高品質半導體產(chǎn)品的成熟制造商，Nexperia憑借強大供應鏈支持的多種半導體技術贏得市場信賴，這進一步為設計者提供了保障。
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