3.3kV 集成SBD SiC-MOSFET 模塊
近年來，為降低全球社會范圍內的碳排放，功率半導體器件正越來越多地被用于高效電力變換場合，特別是在重工業(yè)中，這些器件被用于變流器設備，如軌道牽引中的變流系統(tǒng)和直流輸電系統(tǒng)。其中，SiC功率半導體能夠大幅降低功率損耗，人們對其期待很高。此外，對于大型工業(yè)設備，為了進一步提高其轉換效率，對高效率功率半導體模塊的需求不斷增加。
為進一步為大型工業(yè)變流設備的高功率輸出、高效率和高可靠性做出貢獻，三菱電機開發(fā)了這款SiC MOSFET模塊，采用內置SBD的SiC MOSFET芯片和優(yōu)化的內部封裝結構，能有效降低開關損耗，將很快開始提供樣品。至此，三菱電機3.3kV LV100封裝共包含4款SiC MOSFET模塊和2款Si IGBT模塊。
產品特點
1. 集成SBD的SiC-MOSFET，降低功率損耗，提高變流器輸出功率、效率和可靠性
2. 采用集成SBD的SiC MOSFET和優(yōu)化的封裝結構，與公司現(xiàn)有的硅功率模塊相比，開關損耗降低了91%*4，與現(xiàn)有的全SiC功率模塊相比降低了66%*5，從而降低了變流器功率損耗，并有助于提高輸出功率和效率。
3. 集成SBD的SiC MOSFET和優(yōu)化的電流容量提高了變流器的可靠性。
4. 優(yōu)化的端子布局，適用于不同容量大小的變流器
5. 優(yōu)化的端子布局利于并聯(lián)連接，通過并聯(lián)不同的數(shù)量實現(xiàn)變流器的靈活功率配置。
6. 直流和交流主端子布置在兩端的封裝設計，有助于簡化電路設計。
本產品為符合《出口貿易管制令》附表1第2（41）3項的產品。
*1：Schottky Barrier Diode
*2：Silicon Carbide碳化硅
*3：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
*4：3.3kV/600A 硅功率模塊(CM600DA-66X)
*5：3.3kV/750A全SiC功率模塊 (FMF750DC-66A)
關于三菱電機
三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。在2022年《財富》世界500強排名中，位列351名。截止2022年3月31日的財年，集團營收44768億日元(約合美元332億)。作為一家技術主導型企業(yè)，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發(fā)和生產半導體已有60余年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。
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